T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動無線電晶振,格林雷石英晶振
頻率：38MHz
尺寸：34.8 mm x 20.2 mm
T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動無線電晶振,格林雷石英晶振,格林雷石英晶振,T1276有源晶振,T1300-T26-3.3-LG-20MHz-E晶振,歐美進口晶振,TCXO晶振,頻率38MHz,工作溫度-55~95°C,電壓3.3V,CMOS輸出晶振,抗沖擊晶振,耐輻射晶振,高軌道應答器晶振,低軌道衛星(納米/微型衛星)晶振,射頻遙測系統晶振,多波段終端晶振,升頻器晶振.
T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動無線電晶振,格林雷石英晶振 特點：
•200克拉(Si)總電離劑量
•堅固耐用，密封，耐輻射34.8 mm x 20.2 mm 24-PIN DIP封裝
•頻率:2.5至120MHz
•寬溫度范圍-55°C至+125°C
•SEL和SET自由至100 MeV cm2/mg
•超低加速靈敏度< 0.07 ppb/g
•3.3 VDC和5 VDC供電
•CMOS或正弦波輸出
•MIL-PRF-55310 B級或S級篩選
T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動無線電晶振,格林雷石英晶振 參數圖
| 規格參數 | 數值 | 條件 |
| 頻率 | 38MHz | +25°C |
| 頻率穩定度 | ±5ppm | -55°C to +95°C |
| 工作溫度 | -55°C to +95°C |
|
| 老化 | ± 1ppm max |
1st year
|
| 頻率與電壓 | ± 0.1ppm max |
For a 2% change
|
| 電子頻率控制 | ± 10ppm |
EFC = 0 to VDD, Positive slope 50kΩ input Z
|
| 電壓 | 3.3V(VDD） |
|
| 輸入電流 | 35mA |
CMOS |
| 負載 |
50? |
CMOS
|
| 相位噪聲(靜態)10Hz | -90dBc/Hz |
|
| 相位噪聲(靜態)100Hz | -120dBc/Hz |
|
| 相位噪聲(靜態)1K | -140dBc/Hz |
|
| 相位噪聲(靜態)10KHz | -150dBc/Hz |
|
| 相位噪聲(靜態)100KHz | -155dBc/Hz |
|
| 儲存溫度 | -65°C to+130°C |
|
T1276-T56-C-3.3-LG-B-38.0M-E,6G移動無線電晶振,格林雷石英晶振尺寸圖
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